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NDF04N60Z, NDD04N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
1200
20
400
1000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1.0 MHz
15
QT
300
800
V DS
600
C iss
10
200
400
C oss
5
Qgs
Qgd
V GS
100
200
0
0
C rss
50
100
150
200
0
0
5
10
15
T J = 25 ° C
I D = 4 A
0
20
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 300 V
I D = 4 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
10
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
V GS ≤ 30 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
10 m s
10
1 ms
10 ms
100 m s
10 m s
1
dc
1
dc
V GS ≤ 30 V
Single Pulse
0.1
0.01
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1 10
100
1000
0.1
0.01
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
T C = 25 ° C
10
100
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area for NDF04N60Z
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area for NDD04N60Z
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